Радиоволновые, радиационные методы контроля РЭСИ. Методы электронной микроскопии

Название метода

Область применения

Факторы, огра-ничивающие область приме-нения

Контролируе-мые параметры

Чувствитель-ность

По-греш-ность

Ампли- тудный

Толщинометрия полуфабрикатов, изделий из радиопрозрачных материалов

Сложная кон-фигурация. Из-менение зазора

между антеной преобразователя и поверхностью конт-роля.

Толщина до 100 мм

1 - 3 мм

5%

Дефектоскопия полуфабрикатов, изделий и конст-рукций из ди-электрика

Дефекты: тре-щины, рас-слоения, недопрес-совки

Трещины бо-лее 0,1 - 1 мм

Фазовый

Толщинометрия листовых мате-риалов и полу-фабрикатов, слоистых изделий и конструкций из диэлектрика.

Волнистость профиля или поверхности объекта контро-ля при шаге менее 10L. От-стройка от влияния ампли-туды сигнала

Толщина до 0,5 мм

5 - 3 мм

1%

Контроль «элек-трической» (фа-зовой) толщины

Толщина до 0,5 мм

0,1 мм

Ампли-тудно -фазовый

Толщинометрия материалов, по-луфабрикатов, изделий и конст-рукций из ди-электриков, кон-троль изменения толщины.

Неоднознач-ность отсчета при изменении толщины более 0,5А,Е Измене-ние диэлектри-ческих свойств материала объек-тов контроля величиной бо-лее 2%. Толщи-на более 50 мм.

Толщина 0 -

50 мм

0,05 мм

±0,1 мм

Ампли-тудно -фазовый

Дефектоскопия слоистых мате-риалов и изделий из диэлектрика и полупроводника толщиной до 50 мм

Изменение за-зора между ан-тенной преобра-зователя и по-верхностью объ-екта контроля.

Расслоения, включения, трещины, из-менения плот-ности, нерав-номер-ное рас-пре-деление составных компонентов

Включения порядка 0,05А,Е. Трещины с раскрывом порядка 0,05 мм.Разноплот-ность порядка 0,05 г/см3

Геомет-рический

Толщинометря изделий и конст-рукций из ди-электриков: кон-троль абсолют-ных значений толщины, оста-точной толщины

Сложная кон-фигурация объ-ектов контроля; непараллель-ность поверхно-стей. Толщина более 500 мм

Толщина 0 -500 мм

1,0 мм

3-5

%

Дефектоскопия полуфабрикатов и изделий: контроль раковин, расслоений, инородных включений в изделиях из диэлектриче-ских материалов

Сложная кон-фигурация объ-ектов контроля

Определение глубины зале-гания дефек-тов в пределах до 500 мм

1,0 мм

1 -3%

Времен-

Толщинометрия конструкций и сред, являющих-ся диэлектрика-ми

Наличие «мерт-вой» зоны. На-носекундная техника. При-

Толщина более 500 мм

5--10 мм

5%

ной

Дефектоскопия сред из диэлек-триков

менение генера-торов мощно-стью более 100 мВт

Определение глубины зале-гания дефек-тов в пределах до 500 мм

5 -- 10 мм

5%

Спек-тральный

Дефектоскопия полуфабрикатов и изделий из ра-диопрозрачных материалов

Стабильность частоты генера-тора более 10^-6 . Наличие источ-ника магнитно-го поля. Слож-ность создания чувствительного тракта в диапа-зоне перестрой-ки частоты бо-лее 10%

Изменения в структуре и физико-химических свойствах ма-териалов объ-ектов контро-ля, включения

Микродефек-ты и микронеоднород-ности значительно меньшие рабо-чей длины волны.

-

1

2

3

4

5

6

Поляри-зацион-ный

Дефектоскопия полуфабрикатов, изделий и конст-рукций из ди-электрических материалов.

Сложная кон-фигурация. Толщина более 100 мм.

Дефекты структуры и технологии, вызывающие анизотропию свойств мате-риалов (анизо-тропия, меха-нические и термические напряжения, технологиче-ские наруше-ния упорядо-ченности структуры)

Дефекты пло-щадью более 0,5 - 1,0 см².

-

Гологра-фичес-кий

Дефектоскопия полуфабрикатов, изделий и конст-рукций из ди-электрических и полупроводнико-вых материалов с созданием ви-димого (объемно-го) изображения

Стабильность частоты генера-тора более 10^-6. Сложность соз-дания опорного пучка или поля с равномерны-ми амплитудно -фазовыми ха-рактеристика-ми. Сложность и высокая стоимость ап-паратуры.

Включения, расслоения, разнотолщин-ность. Изме-нения формы объектов.

Трещины с раскрывом 0,05 мм

-