Студенческий сайт КФУ - ex ТНУ » Учебный раздел » Учебные файлы »Коммуникации и связь

Аппроксимация вольтамперной характеристики диодов различных видов методом полинома третьего порядка

Тип: контрольная работа
Категория: Коммуникации и связь
Скачать
Купить
Графическое и аналитическое решение трансцендентного уравнения. Выполнение аппроксимации вольтамперной характеристики диодов различных видов методом полинома третьего порядка. Определение реакции цепи на входное воздействие при помощи интеграла Дюамеля.
Краткое сожержание материала:

Размещено на

ВВЕДЕНИЕ

В данной курсовой работе необходимо сделать аппроксимацию вольтамперной характеристики диодов различных видов методом полинома третьего порядка. Так же необходимо рассмотреть графический и аналитический методы решения трансцендентного уравнения. В последующем необходимо получить реакцию цепи на входное воздействие при помощи интеграла Дюамеля. Проанализировать свои расчёты.

Задание

1. Аппроксимировать вольтамперную характеристику диода 2Д106 (рис.1)

2. Рассчитать режим цепи графическим методом (рис. 2)

3. Рассчитать режим той же цепи численным методом

4. Получить реакцию цепи на входное воздействие с помощью интеграла Дюамеля (рис. 3).

5. Проанализировать результаты вычислений

Рис. 1

Рис. 2

Рис. 3

Исходные данные к работе

VD1

Тип модел.

R1, Ом

R2, Ом

C, нф

Um, В

f, кГц

Тип RC

Метод решения

Метод анализа

9

2Д106

Э

1,5

91

80

2,1

150

И

К

Д

Аппроксимация вольтамперной характеристики

Аппроксимирую график функции ВАХ изображённой на рис.1 с помощью экспоненциального полинома. Для этого воспользуюсь пакетом программ Mathcad 14.

Рис. 4

На рис. 4 изображены графики аппроксимированной и реальной ВАХ.

Графический метод расчета режима цепи (рис.2).

Находим период Т колебаний:

f=150*103 Гц

w=2*р*f=0.942*106 рад/с

T=1/f=6.67*106 с

С помощью пакета Mathcad 14. cтроим график e(t)= 2,1*sin(w*t) (рис. 5)

Разобьем полупериод сигнала на 20 точек.

Период сигнала (T) равен 6.667Ч10-6

Следовательно значение шага (Tn) равно 1.667Ч10-7

трансцедентный аппроксимация вольтамперный диод

Согласно дальнейшим расчетам построим таблицу 1:

Таблица 1

e(t), B

A

B

B

0

0

0

0

0

0.1667

0.329

0.219

0.329

0

0.3334

0.649

0.433

0.649

0

0.5001

0.954

0.636

0.704

0.25

0.6668

1.235

0.823

0.74

0.495

0.8335

1.485

0.99

0.766

0.719

1

1.699

1.133

0.787

0.912

1.167

1.871

1.248

0.801

1.07

1.334

1.998

1.332

0.811

1.187

1.5

2.074

1.383

0.817

1.257

1.667

2.1

1.4

0.819

1.281

1.834

2.074

1.383

0.817

1.257

2

1.998

1.332

0.811

1.187

2.167

1.871

1.248

0.801

1.07

2.334

1.699

1.133

0.787

0.912

2.501

1.485

0.99

0.766

0.719

2.667

1.235

0.823

0.74

0.495

2.834

0.954

0.636

0.704

0.25

3.001

0.649

0.433

0.658

0

3.167

0.329

0.219

0.329

0

3.333

0

0

0

0

Напряжение на диоде находим, строя нагрузочные прямые (см. рис. 6)

Рис. 6

Напряжение на резисторе R1находим по формуле:

UR1=e(t)-UVD

По полученным данным построим графики:

1. Напряжения на источнике (рис. 7)

2. Напряжения на диод (рис. 8)

3. Напряжения на резисторе (рис.9)

Рис. 7

Рис. 8

Рис. 9

Численный метод расчета тока в цепи и напряжения на элементах в схеме (рис. 2)

Необходимо решить трансцендентное уравнение, полученное при аппроксимации ВАХ диода, методом касательных, разбив период сигнал на 100 точек. Для нахождения корней этого уравнения воспользуюсь программой Pascal 7.1.

Текст программы:

program mes;

uses crt;

var

E,I,Is,F1,F2:real;

em,a0,a1,a2,a3,R:real;

n,n1:integer;

F:text;

begin clrscr;

Assign(F,'C:\model.txt');

Rewrite(F);

Is:=0;

writeln(Vvedite dannb1e, 1, 2, 3, em');

readln(a0,a1,a2,a3,em);

R:=1.5;

n1:=1;

for n:=1 to 100 do

begin

I:=0;

E:=em*sin((2*3.14*n)/100);

Repeat

F1:=E-(a0+a1*I+a2*sqr(I)+a3*I*I*I)-I*R;

F2:=a1+2*a2*I+3*a3*sqr(I)-R;

Is:=I-F1/F2;

I:=Is;

Until

abs(E-(a0+a1*Is+a2*sqr(Is)+a3*Is*Is*Is)-Is*R)<0.01;

if I<0 then I:=0;

write('I',n1,' = ',I:4:3,' ');

n1:=n1+1;

writeln(F,I:4:3);

Другие файлы:

Исследование характеристик полупроводниковых диодов и устройств на их основе
Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового ди...

Исследование моделей диодов из библиотек Simulink
Исследование вольтамперных характеристик диодов, снятие характеристик при различных значениях напряжения. Аппроксимация графиков вольтамперных характе...

Вольтамперная характеристика p-n-перехода
Свойства полупроводниковых материалов, применяемых для производства транзисторов и диодов. Понятие электронно-дырочного перехода (n-p-перехода), опред...

Интерполирование и приближение функций
Разделенные разности и аппроксимация функций методом наименьших квадратов. Интерполяционные многочлены Лагранжа и Ньютона. Экспериментальные данные фу...

Исследование вольт-амперных характеристик полупроводникового диода
Понятие полупроводникового диода. Вольт-амперные характеристики диодов. Расчет схемы измерительного прибора. Параметры используемых диодов. Основные п...