Построение схем с диодом из библиотеки SimElectronics и электрическим диодом из библиотеки Simscape и графиков зависимости тока от напряжения. Аппроксимация графиков вольтамперных характеристик диодов различными методами при 2-х разных температурах.
Краткое сожержание материала:

Размещено на

Содержание

• Исследование вольтамперных характеристик диодов
• Диод Simscape:
• Снятие характеристик при Uпр=0,6 В; R=0,3 Ом; с=1*10-8 1/Ом
• Снятие характеристик при Uпр=0,2 В; R=0,1 Ом; с=1*10-7 1/Ом
• Снятие характеристик при Uпр=0,4 В; R=0,5Ом; с=1*10-91/Ом
• Диод SimElectronics
• Снятие характеристик при Uпр=0,6 В; R=0,3 Ом; с=1*10-8 1/Ом
• Снятие характеристик при Uпр=0,3 В; R=0,3 Ом; с=1*10-8 1/Ом
• Снятие характеристик при Uпр=0,2 В; R=1 Ом; с=1*10-8 1/Ом
• Снятие характеристик при Uпр=0,2 В; R=0,3 Ом; с=1*10^-8 1/Ом
• Вывод
• Аппроксимация графиков вольтамперных характеристик диодов
• Исходный график
• Функции первой степени
• Исходный код программы
• Полученные данные
• Функция второй степени
• Исходный код программы
• Полученные данные
• Функция третьей степени
• Исходный код программы
• Полученные данные
• Функция экспоненты
• Исходный код программы
• Полученные данные
• Вывод
• Исследование вольтамперных характеристик диодов
• Построить схемы с диодом из библиотеки SimElectronics и электрическим диодом из библиотеки Simscape. Снять ВАХ, построить графики зависимости тока от напряжения.

Диод Simscape:

Описание:

Элемент библиотеки Simulink Simscape “Диодный блок” моделирует кусочно-линейный диод. Если напряжение через диод идёт большее, чем указанное в параметре Forward, то диод ведёт себя как линейный резистор с низкой проводимостью, определяемой параметром On, так же включая ряд иных источников напряжения. Если же напряжение через диод идёт меньшее, чем указанное в параметре Forward, то диод ведёт себя как линейный резистор с низкой проводимостью, определяемой параметром Off.

Снятие характеристик при Uпр=0,6 В; R=0,3 Ом; с=1*10-8 1/Ом

Таблица 1. U>0

№	U, В	I, А		№	U, В	I, А
1	0	0		14	4,5	13
2	0,3	3*10-9		15	5	14,67
3	0,6	6*10-9		16	5,5	16,33
4	0,9	1		17	6	18
5	1,2	2		18	6,5	19,67
6	1,5	3		19	7	21,33
7	1,8	4		20	7,5	23
8	2,1	5		21	8	24,67
9	2,4	6		22	8,5	26,33
10	2,7	7		23	9	28
11	3	8		24	9,5	29,67
12	3,5	9,667		25	10	31,33
13	4	11,33

Рис.2. График зависимости U от I при U>0

Таблица 2. U<0

№	U, В	I, нА		№	U, В	I, нА
1	0	0		22	-0,42	-4,2
2	-0,02	-0,2		23	-0,44	-4,4
3	-0,04	-0,4		24	-0,46	-4,6
4	-0,06	-0,6		25	-0,48	-4,8
5	-0,08	-0,8		26	-0,5	-5
6	-0,1	-1		27	-0,6	-6
7	-0,12	-1,2		28	-0,7	-7
8	-0,14	-1,4		29	-0,8	-8
9	-0,16	-1,6		30	-0,9	-9
10	-0,18	-1,8		31	-1	-10
11	-0,2	-2		32	-1,1	-11
12	-0,22	-2,2		33	-1,2	-12
13	-0,24	-2,4		34	-1,3	-13 Другие файлы: Исследование моделей диодов из библиотек Simulink Исследование вольтамперных характеристик диодов, снятие характеристик при различных значениях напряжения. Аппроксимация графиков вольтамперных характе... Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов Разработка прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Классификация полупроводниковых диодов, характеристика их видов. Принципиа... Исследование вольт-амперных характеристик полупроводникового диода Понятие полупроводникового диода. Вольт-амперные характеристики диодов. Расчет схемы измерительного прибора. Параметры используемых диодов. Основные п... Исследование характеристик диодов и тиристоров Назначение и классификация полупроводниковых приборов, особенности их применения в преобразователях энергии и передаче информации. Система обозначений... Исследование характеристик полупроводниковых диодов и устройств на их основе Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового ди...