Студенческий сайт КФУ - ex ТНУ » Учебный раздел » Учебные файлы »Промышленность, производство

Биполярные транзисторы 5

Тип: реферат
Категория: Промышленность, производство
Скачать
Купить
Московский Ордена Ленина, Ордена Октябрьской Революции и Ордена Трудового Красного ЗнамениГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Н.Э.БАУМАНАОТЧЕТО НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЕИсследование полупроводниковых приборовпо теме:«Биполярные транзисторы»По научной работевыполнил _______________ Ворончихин Д. Н. подпись, дата Руководитель темыпроверил ________________ Загидуллин Р. Ш. подпись, датаМосква, 2008РефератОтчет 20 с., 3 ч., 30 рис., 1 источник.Объектом исследования являются биполярные транзисторы.Цель работы — получение модельных характеристик транзисторов и их занесение в библиотеку МС7, а также установка рабочей точки в промежуточном каскаде УНЧ и настройка УНЧ в заданной полосе частот. В процессе работы проводились экспериментальные исследования в лаборатории и моделирование экспериментальных исследований в программе МС7.СодержаниеРеферат - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 2Содержание - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -2Обозначения и сокращения - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -3Введение - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -3
  • Определение параметров модели транзистора- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 3
  • 1.1 Определение параметров модели транзистора из библиотеки МС7- - - - - - - - - 3 1.2 Определение параметров модели транзистора из экспериментального стенда- 8
  • Установка рабочей точки - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 13
  • Усилительный каскад на биполярном транзисторе- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 15
  • Заключение- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 19Список литературы - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 19Приложение - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 20Обозначения и сокращенияМС7 – MicroCap7УНЧ – усилитель низкой частотыIb - ток базыIk - ток коллектора Uke - напряжение коллектор эмиттерUbe - напряжение база эмиттерUkb - напряжение коллектор базаСob - емкость коллекторного переходаCjc барьерная емкость
    Другие файлы:

    Основы микроэлектроники
    Основные термины и определения, технологические основы микроэлектроники, биполярные транзисторы ИМС, МДП-транзисторы ИМС, полевые транзисторы с управл...

    Биполярные транзисторы
    Типы биполярных транзисторов и их диодные схемы замещения. Кремниевые и германиевые транзисторы. Физические явления в транзисторах. Схемы включения и...

    Кремниевые биполярные транзисторы: Справочник

    Модуляционно-легированные транзисторы MODFET, биполярные транзисторы на гетеропереходах. Резонансный туннельный эффект
    Технические характеристики и структура модуляционно-легированных полевых транзисторов и биполярных транзисторов на гетеропереходах. Технологии создани...

    Транзисторы биполярные
    Кратко описаны конструктивные принципы биполярных транзисторов, их электрические и эксплуатационные характеристики...