Изготовление кристаллов
КРИСТАЛЬНОЕ ПРОИЗВОДСТВООТЧЕТ ПО ПРОВЕДЕННЫМ ЭКСКУРСИЯМВ ходе практики была проведена экскурсия в цехе кристального производства, в ходе которой ознакомились со следующими участками:Участок чистой химии;Участок нанесения фоторезиста;Участок фотокопии;Участок технохимии;Участок плазмохимического травления;Участок диффузии;Участок ионного легирования;Участок нанесения диэлектрических пленок;Участок напыления;Участок контроля электрофизических параметров;Участок испытаний.ВВОДНАЯ ЧАСТЬМикросхема 564ИЕ10Микросхема содержит два отдельных четырехразрядных двоичных счетчика. Триггеры каждого из них устанавливаются в исходное состояние (нулевое) при подаче уровня 1 на вход R. Триггеры счетчиков 564ИЕ10 переключаются в момент спада импульсов положительной полярности на входе СР при уровне 0 на входе CN. Возможна подача импульсов отрицательной полярности на вход CN при уровне 1 на входе СР. Таким образом, входы CP и CN объединены логической функцией И. При соединении микросхем 564ИЕ10 в многоразрядный счетчик с последовательным переносом выводы 8 подключаются к входам СР следующих, а на входы CN подают уровень 0. На счетчике 564ИЕ10 можно собрать делитель частоты с коэффициентом деления от 2 до 15.Рис. 1. Графическое изображение МС 564ЕИ10 Рис. 2. Временная диаграмма работы счетчика 564ИЕ10МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА 564ИЕ101. Формирование партии пластин.2. Гидромеханическая отмывка пластин.3. Химическая обработка.Смесь Каро (H2SO4+H2O2), перикисьно-амиачная смесь. Оборудование— линия “Лада 125”.4. Окисление 1.Установки СДОМ, АДС. Температура 1000ОС. О2+пар.5. Фотолитография. Формирование области р-кармана.5.1. Нанесение фоторезиста. Фоторезист — ФП383. Установка ХБС.5.2. Совмещение экспонирования пластин ЭМ — 576А.5.3. Проявление фоторезиста. Проявитель — едкий калий.5.4. Дубление фоторезиста. Установки “Лада”.5.5. Травление окисной пленки. Буферный травитель.5.6. Контроль.6. Ионное легирование.Бор 1. “Карман”. Установка “Лада 30”.7. Снятие фоторезиста.7.1. Плазма. Установка “08 ПХО 100Т-001”7.2. Смесь Каро.8. Химическая обработка.9. Разгонка бора. “Карман”. Температура 1200ОС. О2+азот.10. Вторая фотолитография.Формирование областей сток- исток р-канальных транзисторов и р+-охраны.11. Ионное легирование.Бор 2 . Сток- исток. Установка “Везувий-3М”.12. Снятие фоторезиста.Плазма и смесь Каро.13. Химическая обработка.14. Разгонка бора. Сток- исток.Температура 1000ОС, О2+пар.15. Третья фотолитография.Формирование областей сток- истока n-канальных транзисторов и n+-охраны.16. Химическая обработка.17. Загонка фосфора (диффузионный метод).Температура 900ОС. Диффузант — POCl3.18. Снятие фосфорселикатного стекла.HF : H2O =1 :10.19. Разгонка фосфора.Температура 1000ОС. О2+пар.20. 4Я фотолитография.Вскрытие областей под затвор и контактные окна.21. Окисление 2 — подзатворный диэлектрик.Температура 1000ОС. О2+HCl.22. Стабилизация фосфора.Температура 900ОС. Диффузант — POCl3.23. Подлегирование.24. Отжиг подзатворного диэлектрика.25. 5Я фотолитография.Вскрытие контактных окон.26. Химическая обработка.27. Напыление Al+Si.Установка “Магна 2М”.28. 6Я фотолитография.Формирование алюминиевой разводки.29. Вжигание алюминия.Температура 475ОС в азоте.30. Нанесение защитного окисла.Температура 400ОС. SiH4+O2.Установка “Аксин”.31. 7Я фотолитография....
Другие файлы:
Жидкие кристаллы как основа развития современных технологий
Открытие жидких кристаллов. Сфера применения жидких кристаллов. Дисплеи на жидких кристаллах. Изготовление интегральных схем. Жидкокристаллические тел...
Процесс выращивания кристаллов
Основные виды кристаллов. Естественный и искусственный рост кристаллов. Выращивание кристаллов как физико-химический процесс, требуемое оборудование....
Общий курс кристаллографии
ВведениеОписание отдельных кристаллографических системДвойникиНесовершенства в образовании кристалловИзмерение кристалловСферическая проекция кристалл...
Anillos con Cuentas de Cristal
Изготовление колец из бусин и кристаллов Сваровски....
Creating Crystal Jewelry with Swarovski
Изготовление стильной бижутерии из бисера и кристаллов Сваровски....
