В книге рассматриваются физические явления в легированных полупроводниках, для описания которых необходимо учитывать, что электроны находятся в хаотическом поле доноров и акцепторов. К этим явлениям относятся андерсоиовская локализация электронов, прыжковая проводимость, переход от металлической проводимости к актива-циоииой при изменении степени легирования и компенсации, оптические явления, связанные с хвостами плотности состояний. Современный подход к указанным проблемам в значительной мере основан на теории протекания. В книге дается первый в монографической литературе обзор этой новой математической дисциплины. Детально обсуждается основанный на теории протекания метол вычисления электропроводности сильно неоднородных сред. Систематически излагается теория прыжковой проводимости, построенная с помощью этого метода. Большое внимание уделяется сопоставлению ее результатов с экспериментом. Обсуждаются нерешенные проблемы теории. Табл. 13, библ. 358, рис. 85.
